IRFR18N15DPBF 是一款由英飛凌(Infineon)推出的 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用 TO-263 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種電源管理應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)電路等。其工作電壓范圍高達(dá) 150V,能夠承受較高的漏源極電壓,同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
該 MOSFET 在設(shè)計(jì)時(shí)特別注重降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流:18A
導(dǎo)通電阻(典型值):0.097Ω
柵極電荷:14nC
總電容(輸入電容):1090pF
最大功耗:120W
結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:TO-263
IRFR18N15DPBF 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 高電壓能力:其最大漏源電壓為 150V,能夠勝任高壓環(huán)境下的開(kāi)關(guān)任務(wù)。
2. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅為 0.097Ω,有助于減少導(dǎo)通損耗,提高效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能:由于其較低的柵極電荷和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)操作,減少開(kāi)關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):該器件能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的寬溫度范圍內(nèi)正常工作,確保在惡劣環(huán)境中的可靠性。
5. 高電流承載能力:支持高達(dá) 18A 的連續(xù)漏極電流,適合大電流應(yīng)用。
6. 小型化封裝:TO-263 封裝不僅節(jié)省空間,還便于散熱管理。
IRFR18N15DPBF 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)景,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中,以實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的速度和方向。
4. 電池保護(hù)電路:防止過(guò)充、過(guò)放及短路等情況。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如 PLC 控制系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器等中的功率級(jí)組件。
6. 汽車(chē)電子:適配于車(chē)載充電器、逆變器等需要高可靠性的場(chǎng)合。
IRFZ44N, IRF540N, STP18NF15L