INFINEON IRFR120NTRPBF 晶體�, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道�(shè)�,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱�(shè)計挑�(zhàn)問題� 在整個范圍內(nèi),基�(zhǔn)�(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損�,讓�(shè)計人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶體�, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道�(shè)�,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱�(shè)計挑�(zhàn)問題� 在整個范圍內(nèi),基�(zhǔn)�(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�
額定功率�39 W
通道�(shù)�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.21 Ω
極性:N-CH
耗散功率�48 W
閾值電壓:4 V
漏源極電�(Vds)�100 V
漏源擊穿電壓�100 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�9.4A
上升時間�23 ns
輸入電容(Ciss)�330pF @25V(Vds)
額定功率(Max)�48 W
下降時間�23 ns
工作溫度(Max)�175 �
工作溫度(Min)�-55 �
耗散功率(Max)�48W (Tc)
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:TO-252-3
長度�6.5 mm
寬度�6.22 mm
高度�2.3 mm
工作溫度�-55� ~ 175� (TJ)