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IRFP1405 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 0:53:17 查看 閱讀:8

IRFP1405是一種N溝道功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)。該器件專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和音頻功率放大器等領(lǐng)域。其采用TO-247封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性,適合在中高功率應(yīng)用中使用。
  IRFP1405屬于增強(qiáng)型MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并具備快速開關(guān)速度,從而減少開關(guān)損耗。此外,其出色的熱性能使得它在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流:38A
  導(dǎo)通電阻:1.6mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷:95nC(典型值)
  輸入電容:1040pF(典型值)
  最大功耗:220W
  結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

IRFP1405的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高效率,這使其在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。低導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,提高了整體系統(tǒng)的效率。
  另外,該器件具有快速開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗。它的柵極電荷較低,可減少驅(qū)動電路的復(fù)雜性和功耗。
  IRFP1405采用了先進(jìn)的制造工藝,保證了其在高溫條件下的可靠運(yùn)行。其封裝形式(TO-247)提供了良好的散熱性能,便于與外部散熱器連接,進(jìn)一步提升了功率處理能力。
  由于其低寄生電感05非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和開關(guān)電源等。

應(yīng)用

IRFP1405適用于多種功率電子應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 逆變器
  4. 電機(jī)驅(qū)動
  5. 音頻功率放大器
  6. 光伏逆變器
  7. 電動汽車中的功率控制模塊
  這些應(yīng)用均利用了IRFP1405的高效能、低損耗和高可靠性特點(diǎn),滿足現(xiàn)代功率電子設(shè)備對高性能和節(jié)能的需求。

替代型號

IRFP150N07S,
  STP100NF06,
  IXFK40N55T,
  FDP15U06A,
  IPW150N06S

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irfp1405參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝25
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C95A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫歐 @ 95A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5600pF @ 25V
  • 功率 - 最大310W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247AC
  • 包裝散裝
  • 其它名稱*IRFP1405