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IRFP064NPBF 發(fā)布時間 時間�2024/6/20 16:14:16 查看 閱讀�615

IRFP064NPBF是一款N溝道MOSFET功率晶體管。它采用先進的溝道技術和先進的功率MOSFET工藝,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱特�。IRFP064NPBF的導通電阻很�,可以在低電壓下實現(xiàn)高電流輸�,適用于高功率應用。它的封裝是TO-247,可以有效散�,適合大功率應用�
  IRFP064NPBF的額定電壓為55V,額定電流為110A。它在導通電阻方面表�(xiàn)出色,額定導通電阻為0.015Ω,這意味著在開關狀�(tài)下,它可以實�(xiàn)低功耗的導通狀�(tài)。此外,它的開關速度也很�,能夠快速切換開關狀�(tài),適用于高頻應用�
  IRFP064NPBF具有�(yōu)異的熱特�,可以在高溫�(huán)境下工作。它的最大工作溫度為175�,并且具有良好的熱耦合特�,可以有效散熱,保持器件的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)和指�

1、額定電壓(Vds):55V
  2、額定電流(Id):110A
  3、額定導通電阻(Rds(on)):0.015Ω
  4、最大工作溫度(Tj max):175�
  5、封裝類型:TO-247

組成結構

1、溝道:N溝道MOSFET的溝道是由摻雜的N型硅材料構成,用來控制電流流動�
  2、柵極:柵極是由金屬材料制成,用來控制溝道的導電��
  3、濺射區(qū):濺射區(qū)是通過濺射技術在硅材料上形成的摻雜區(qū)�,用來增加柵極控制溝道的效果�
  4、漏極和源極:漏極和源極是用來連接外部電路的引�,電流通過溝道從源極流入漏極�

工作原理

IRFP064NPBF的工作原理基于MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管)的原�。當柵極電壓(Vgs)施加在柵極和源極之間時,形成一個電�,控制柵極和溝道之間的導電�。當柵極電壓高于溝道中的閾值電壓時,溝道導通,電流從源極流入漏�。當柵極電壓低于閾值電壓時,溝道截斷,溝道中的電流無法通過�

技術要�

1、低導通電阻:IRFP064NPBF具有低導通電�,可以實�(xiàn)高電流輸出�
  2、高開關速度:IRFP064NPBF具有快速的開關速度,適用于高頻應用�
  3、優(yōu)異的熱特性:IRFP064NPBF在高溫環(huán)境下具有良好的熱耦合特�,能夠有效散��

設計流程

設計使用IRFP064NPBF的電路時,可以按照以下流程進行�
  1、根�(jù)應用需求確定電路的輸入和輸出參�(shù)�
  2、選擇合適的功率晶體�,如IRFP064NPBF,根�(jù)其參�(shù)和指標來滿足設計需��
  3、根�(jù)電路要求,進行電路設計和模擬仿��
  4、進行電路布局和焊�,確保電路的�(wěn)定性和可靠性�
  5、進行電路測試和驗證,確保電路的性能和功能符合設計要��

注意事項

在使用IRFP064NPBF�,需要注意以下幾點:
  1、保持適�?shù)纳幔河捎贗RFP064NPBF具有�(yōu)異的熱特性,因此需要確保良好的散熱,以防止過熱損壞器件�
  2、正確選擇工作電壓和電流:根�(jù)IRFP064NPBF的參�(shù)和指標,選擇適當?shù)墓ぷ麟妷汉碗�?,以確保器件在安全范圍內工作�
  3、防止靜電損壞:在處理和安裝IRFP064NPBF時,需要注意防止靜電損�,采取適�?shù)姆雷o措施�

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irfp064npbf參數(shù)

  • 標準包裝25
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C110A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 59A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最�200W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商設備封�TO-247AC
  • 包裝散裝
  • 其它名稱*IRFP064NPBF