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IRFL024NTRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:51:14 查看 閱讀�27

IRFL024NTRPBF是英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用SO-8封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
  該器件以低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度著稱,能夠在高頻�(yīng)用中提供較高的效�,并且具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能�

參數(shù)

型號(hào):IRFL024NTRPBF
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:SO-8
  最大漏源電�(Vdss)�55V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�7.6A(在Ta=25°C�(shí)�
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�1.3W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C�+150°C

特�

IRFL024NTRPBF具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  3. 高擊穿電壓(55V�,能夠在較高電壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
  4. 低柵極電�,有助于降低�(qū)�(dòng)損��
  5. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)�(jì)要求�
  這些特點(diǎn)使得IRFL024NTRPBF成為各種功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRFL024NTRPBF適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
  3. 各種�(fù)載切換應(yīng)��
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
  5. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),這款MOSFET非常適合需要高性能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRLZ44N, FDN340P, AO3400A

irfl024ntrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfl024ntrpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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irfl024ntrpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫歐 @ 2.8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFL024NTRPBF-NDIRFL024NTRPBFTR