IRFL014N是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-252 (DPAK) 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。它在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFL014N的設(shè)�(jì)使其能夠承受較高的漏源電壓,并且其柵極驅(qū)�(dòng)要求相對(duì)�(jiǎn)�,適合用于電池供電的便攜式設(shè)備以及其他需要高效能表現(xiàn)的電��
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.9A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�70mΩ @ Vgs=10V
總功�(Ptot)�1.1W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C to +150°C
封裝�(lèi)型:TO-252(DPAK)
IRFL014N具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可以有效減少傳�(dǎo)損耗,提高效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻工作環(huán)境�
3. 較低的柵極電�(Qg),簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)并降低了�(qū)�(dòng)功��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間工作的�(yīng)用場(chǎng)景�
這些特點(diǎn)使得IRFL014N成為許多中小功率�(yīng)用的理想選擇,尤其是在注重能耗和空間限制的情況下�
IRFL014N適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切��
4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品如筆記本電腦適配器、手�(jī)充電器等�
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的信�(hào)隔離與功率傳��
6. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
由于其緊湊的封裝形式和出色的電氣性能,這款MOSFET非常適合于那些對(duì)成本敏感但又需要高性能表現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRF7404, SI4870DY