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IRFI530GPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/9 14:43:54 查看 閱讀�654

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�160 毫歐 @ 5.8A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.7A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�33nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �670pF @ 25V

    功率 - 最大:42W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引線,隔離式),ITO-220AB

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱�*IRFI530GPBF


資料

廠商
VISHAY

irfi530gpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfi530gpbf參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫歐 @ 5.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最�42W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封�,隔離接�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFI530GPBF