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IRFI4229PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 14:59:05 查看 閱讀�17

IRFI4229PBF 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高性能 MOSFET 功率晶體�,采� TO-263-3 封裝。該器件屬于邏輯電平 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用�
  IRFI4229PBF 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了其在高效率功率系�(tǒng)中的表現(xiàn),能夠支持高�(dá) 50V 的漏源極電壓,并且具備較低的 RDS(on) 值以減少傳導(dǎo)損��

參數(shù)

最大漏源極電壓�50V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  柵極閾值電壓:2.5V
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):7mΩ
  總功耗:110W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:TO-263-3

特�

IRFI4229PBF 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,這使其非常適合需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)�。具體特性包括:
  - 極低� RDS(on)(典型值為 7mΩ�,有助于降低功率損��
  - 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操��
  - 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  - 邏輯電平柵極�(qū)�(dòng)兼容性,�(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  - 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種�(huán)境條��

�(yīng)�

IRFI4229PBF 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)元件�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)��
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流或�(wú)刷電�(jī)�
  - 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)和監(jiān)�(cè)電池狀�(tài)�
  - 充電器電�,提供高效的充電解決方案�
  - 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)組件�

替代型號(hào)

IRLZ44N, IRFZ44N, FDP16N50C

irfi4229pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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irfi4229pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4480pF @ 25V
  • 功率 - 最�46W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件