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IRFHM9331TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:19:40 查看 閱讀�30

IRFHM9331TRPBF 是一款由 Vishay International Rectifier 生產(chǎn)� N 灃道艼溝道功� MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等。該芯片以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性而著�,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款 MOSFET 在設(shè)�(jì)上注重高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性,其漏源極電壓 Vds 額定值為 30V,連續(xù)漏極電流 Id 可達(dá) 46A(在特定條件下),使其非常適合于中高功率�(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):IRFHM9331TRPBF
  封裝:TO-252 (DPAK)
  漏源電壓 Vds�30V
  連續(xù)漏極電流 Id�46A
  柵極閾值電� Vgs(th)�2.7V � 4.2V
  �(dǎo)通電� Rds(on)�2.8mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
  總功� Ptot�115W
  工作溫度范圍 Tj�-55°C � 175°C

特�

IRFHM9331TRPBF 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提升整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
  3. 較高的連續(xù)漏極電流(Id)和峰值脈沖漏極電流能力,滿足大功率需��
  4. 高溫性能出色,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下正常工作,適用于�(yán)苛環(huán)��
  5. 小型化封� TO-252 提供良好的熱管理和板�(jí)空間節(jié)省優(yōu)�(shì)�
  6. �(nèi)置反向二極管,�(jìn)一步優(yōu)化了電路�(shè)�(jì)的靈活性和效率�

�(yīng)�

IRFHM9331TRPBF 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換階��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于汽車電�、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域�
  3. 電動(dòng)�(jī)�(qū)�(dòng),特別是在需要高性能和低能耗的�(chǎng)合�
  4. �(fù)載切換和保護(hù)電路,如電池管理系統(tǒng)中的�(yīng)用�
  5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng),提供高效的功率輸出�
  6. 其他需要高效率、高頻工作的功率管理�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N, IRF540N, IRFR3206TRPBF

irfhm9331trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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irfhm9331trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 11A�20V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1543pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVQFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PQFN�3x3�
  • 包裝帶卷 (TR)