IRFH8318 時(shí)間：2025/5/23 6:26:57 閱讀：14

IRFH8318是一款由英飛凌（Infineon）推出的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用了Trench技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力，適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用以及高效率的功率轉(zhuǎn)換電路。其封裝形式為PQFN56（5x6mm），非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
　　該芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及通信電源等領(lǐng)域，特別是在需要高效能和小體積解決方案的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

參數(shù)

型號(hào)：IRFH8318
　　類型：N溝道功率MOSFET
　　Vds（漏源電壓）：40V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值@Vgs=10V）：2.5mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：97A
　　Vgs（柵源電壓）：±20V
　　Qg（總柵極電荷）：38nC
　　EAS（雪崩能量）：28mJ
　　封裝：PQFN56 (5x6mm)
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

IRFH8318采用先進(jìn)的Trench MOSFET技術(shù)制造，具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，僅為2.5mΩ（在Vgs=10V時(shí)），從而減少了傳導(dǎo)損耗并提升了系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，最大可支持97A的連續(xù)漏極電流。
　　3. 總柵極電荷Qg較小，僅為38nC，有助于降低開關(guān)損耗。
　　4. 支持寬廣的工作溫度范圍（-55℃至+175℃），適用于惡劣環(huán)境下的工作需求。
　　5. 小巧的PQFN56封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省了PCB板空間，非常適合對(duì)尺寸敏感的應(yīng)用。
　　6. 具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性，確保在高頻開關(guān)應(yīng)用中的可靠運(yùn)行。

應(yīng)用

IRFH8318適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)
　　4. 電機(jī)控制
　　5. 汽車電子系統(tǒng)
　　6. 工業(yè)逆變器
　　7. 筆記本適配器和其他便攜式設(shè)備電源
　　憑借其低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)特性，該器件能夠在這些應(yīng)用中提供更高的能源效率和更緊湊的設(shè)計(jì)方案。