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IRFD420PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 17:16:05 查看 閱讀�516

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�3 歐姆 @ 220mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�500V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�370mA

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�24nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �360pF @ 25V

    功率 - 最大:1W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼�4-DIP (0.300", 7.62mm)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

    其它名稱�*IRFD420PBF


資料

廠商
VISHAY

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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irfd420pbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFD420
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C370mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 歐姆 @ 220mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼4-DIP�0.300"�7.62mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFD420PBF