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IRFD214PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 17:18:32 查看 閱讀�245

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

 

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�2 歐姆 @ 270mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�250V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�450mA

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�8.2nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �140pF @ 25V

    功率 - 最大:1W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼�4-DIP (0.300", 7.62mm)

    包裝:管�

    供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

    其它名稱�*IRFD214PBF


資料

廠商
VISHAY

irfd214pbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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  • 封裝/批號
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  • 型號
  • 描述
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irfd214pbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFD214
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C450mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 270mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds140pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼4-DIP�0.300"�7.62mm�
  • 供應商設備封�4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFD214PBF