IRFD113是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-252表面貼裝封裝,適用于多種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。IRFD113以其低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能而聞�,適合用于電信設(shè)�、工�(yè)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理電路�
這款MOSFET具有出色的效率和可靠�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4.7A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷(典型值)�3nC
總電容(輸入電容):330pF
最大功耗:1.1W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
IRFD113具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
其快速開�(guān)性能使其非常適合高頻�(yīng)�,并能減少開�(guān)過程中的能量損失�
由于采用了先�(jìn)的制造工�,該器件的熱阻較�,有助于提升散熱能力并延長使用壽��
此外,IRFD113的封裝形式緊�,便于在空間受限的設(shè)計中使用�
IRFD113廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動控�
4. �(fù)載開�(guān)
5. 電池管理系統(tǒng)
6. 工業(yè)自動化設(shè)�
7. 消費(fèi)電子�(chǎn)品的電源模塊
它特別適合需要高頻率和低功耗的�(yīng)用場��
IRLML2402
Si2302DS
FDMC8622