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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFD020PBF

IRFD020PBF 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 11:35:59 查看 閱讀�28

IRFD020PBF是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應用�
  這款MOSFET通常被用作高效能的開關元�,在設計中能夠提供卓越的性能表現(xiàn)。其低導通電阻使得在高電流應用中效率更高,同時減少了功率損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�47A
  導通電阻:8mΩ
  柵極電荷�50nC
  功耗:245W
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

IRFD020PBF的主要特性包括以下幾點:
  1. 高效的開關性能,支持高頻應用�
  2. 極低的導通電阻(8mΩ�,減少功率損��
  3. 較高的漏極電流承載能力(47A),適合大功率應用場景�
  4. 小型化的TO-263封裝,便于安裝與散熱管理�
  5. 支持寬泛的工作溫度范圍(-55℃到150℃),確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
  6. �(nèi)部采用了�(yōu)化的芯片設計,進一步提升了可靠性和耐用��

應用

IRFD020PBF廣泛應用于各類電力電子設備中,主要的應用領域包括�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC converters)的核心組件�
  3. 電機�(qū)動電路中的開關元��
  4. 脈寬�(diào)制(PWM)控制器的輸出級�
  5. 各種工業(yè)自動化設備的功率控制模塊�
  6. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換元件�

替代型號

IRFZ44N, IRF540N

irfd020pbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfd020pbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irfd020pbf參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 1.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼4-DIP�0.300"�7.62mm�
  • 供應商設備封�4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFD020PBF