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IRFBC40LPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 17:27:20 查看 閱讀�242

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-



目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.2 歐姆 @ 3.7A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�600V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�6.2A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�60nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �1300pF @ 25V

    功率 - 最大:3.1W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:I2Pak, TO-262 (3 直引� + 接片)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱�*IRFBC40LPBF


資料

廠商
VISHAY

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irfbc40lpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFBC40S,L
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 3.7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-262-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFBC40LPBF