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IRFBA90N20DPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/8 11:27:02 查看 閱讀�587

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?



目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�23 毫歐 @ 59A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�98A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�240nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �6080pF @ 25V

    功率 - 最大:650W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:Super-220?-3(直引線�

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SUPER-220? (TO-273AA)

    其它名稱�*IRFBA90N20DPBF


資料

廠商
Infineon Technologies

irfba90n20dpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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irfba90n20dpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C98A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫歐 @ 59A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6080pF @ 25V
  • 功率 - 最�650W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼Super-220?-3(直引線�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SUPER-220?(TO-273AA�
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFBA90N20DPBF