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IRFB4510 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:20:45 查看 閱讀�18

IRFB4510是一種N溝道功率MOSFET,由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用PQFN封裝,設(shè)�(jì)用于高頻開關(guān)�(yīng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,適合在電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場景中使用�
  IRFB4510的特�(diǎn)包括高效�、低功耗以及卓越的熱性能。其�(yōu)化的柵極電荷使其非常適合于快速開�(guān)的應(yīng)用場�,同�(shí)保持了較低的電磁干擾(EMI)水平�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�32A
  �(dǎo)通電阻:2.9mΩ
  柵極電荷�74nC
  總電容:1800pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

IRFB4510是一款專為高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)的功率MOSFET。它具備非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�2.9毫歐,這有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件具有較低的柵極電�,從而減少了開關(guān)過程中的能量損失,提高了開關(guān)頻率下的整體性能�
  其采用的PQFN封裝形式提供了良好的散熱性能,并且由于封裝尺寸較小,因此非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)�。此�,高�(dá)175°C的工作溫度上限保證了器件在極端條件下的可靠性�
  IRFB4510還具有較快的開關(guān)速度,可以有效減少開�(guān)損耗并降低電磁干擾(EMI),這對于現(xiàn)代電子設(shè)備而言是一�(xiàng)重要的優(yōu)�。總的來�,這款MOSFET是追求高性能和高效率�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRFB4510廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,例如開�(guān)電源(SMPS)、同步整流電�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、負(fù)載切換電路以及DC-DC�(zhuǎn)換器�。在這些�(yīng)用場景中,它能夠提供高效的功率傳輸和可靠的運(yùn)行性能�
  具體來說,在開關(guān)電源中,IRFB4510可以用作主開�(guān)管或同步整流�;在電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中,它可以用來控制電機(jī)的啟�(dòng)、停止及速度�(diào)節(jié)等功�;而在DC-DC�(zhuǎn)換器中,則利用其快速開�(guān)能力和低�(dǎo)通電阻來�(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)�。此外,它也適用于電池管理系�(tǒng)(BMS)和其他需要大電流處理能力的場��

替代型號

IRFZ44N
  STP32NF06
  AO3400

irfb4510推薦供應(yīng)� 更多>

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