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IRFB4020PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/23 15:54:13 查看 閱讀�865

此數(shù)字音頻MOSFET專為D類音頻放大器�(yīng)用而設(shè)�(jì)。這種MOSFET利用最新的加工技�(shù)�(lái)�(shí)�(xiàn)每硅面積的低�(dǎo)通電�。此�,柵極電�、體二極管反向恢�(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)�(guò)�(yōu)�,以提高�(guān)鍵的D類音頻放大器性能因素,如效率、THD和EMI。這種MOSFET的其他特性是175°C的工作結(jié)溫和重復(fù)雪崩能力。這些特性相�(jié)合,使這款MOSFET成為D類音頻放大器�(yīng)用的高效、堅(jiān)固和可靠的器��

特征�(shuō)�

針對(duì)D類音頻放大器�(yīng)用優(yōu)化的�(guān)鍵參�(shù)
  低RDSON,提高效�
  低QG和QSW,可獲得更好的總諧波失真和更高的效率
  低QRR可獲得更好的THD和更低的EMI
  75°C工作�(jié)�,堅(jiān)固耐用
  在半橋配置放大器�,每�(gè)通道可向28?2�(fù)載提供高�(dá)300W的功�

技�(shù)參數(shù)

額定功率�100 W
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.1Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�100 W
  閾值電壓:4.9 V
  輸入電容�1200 pF
  漏源極電�(Vds)�200 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�18A
  上升�(shí)間:12 ns
  輸入電容(Ciss)�1200pF 50V(Vds)
  額定功率(Max)�100 W
  下降�(shí)間:6.3 ns
  工作溫度(Max)�175�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�100W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

�(zhǎng)度:10.66 mm
  寬度�4.82 mm
  高度�9.02 mm
  封裝:TO-220-3

物理參數(shù)

材質(zhì):Silicon
  工作溫度�-55℃~175�(TJ)

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應(yīng)用:Audio,Consumer Electronics,Power Managemen

irfb4020pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfb4020pbf資料 更多>

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irfb4020pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.9V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 50V
  • 功率 - 最�100W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件