此數(shù)字音頻MOSFET專為D類音頻放大器�(yīng)用而設(shè)�(jì)。這種MOSFET利用最新的加工技�(shù)�(lái)�(shí)�(xiàn)每硅面積的低�(dǎo)通電�。此�,柵極電�、體二極管反向恢�(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)�(guò)�(yōu)�,以提高�(guān)鍵的D類音頻放大器性能因素,如效率、THD和EMI。這種MOSFET的其他特性是175°C的工作結(jié)溫和重復(fù)雪崩能力。這些特性相�(jié)合,使這款MOSFET成為D類音頻放大器�(yīng)用的高效、堅(jiān)固和可靠的器��
針對(duì)D類音頻放大器�(yīng)用優(yōu)化的�(guān)鍵參�(shù)
低RDSON,提高效�
低QG和QSW,可獲得更好的總諧波失真和更高的效率
低QRR可獲得更好的THD和更低的EMI
75°C工作�(jié)�,堅(jiān)固耐用
在半橋配置放大器�,每�(gè)通道可向28?2�(fù)載提供高�(dá)300W的功�
額定功率�100 W
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.1Ω
極性:N-Channel
耗散功率�100 W
閾值電壓:4.9 V
輸入電容�1200 pF
漏源極電�(Vds)�200 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�18A
上升�(shí)間:12 ns
輸入電容(Ciss)�1200pF 50V(Vds)
額定功率(Max)�100 W
下降�(shí)間:6.3 ns
工作溫度(Max)�175�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�100W(Tc)
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
�(zhǎng)度:10.66 mm
寬度�4.82 mm
高度�9.02 mm
封裝:TO-220-3
材質(zhì):Silicon
工作溫度�-55℃~175�(TJ)
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube
制造應(yīng)用:Audio,Consumer Electronics,Power Managemen