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IRFB38N20DPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 1:58:07 查看 閱讀�8

IRFB38N20DPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-263-3 封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于各種高頻開關(guān)�(yīng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景�
  該型�(hào)屬于邏輯電平 MOSFET,其柵極閾值電壓較低,非常適合與微控制器或其他低電壓信�(hào)源直接連接�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�11.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�25nC
  總開�(guān)能量�150nJ
  功耗:27W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IRFB38N20DPBF 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力�200V 的漏源電壓使得該器件能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V 的情況下,導(dǎo)通電阻僅� 0.15Ω,從而減少了�(dǎo)通損�,提高了系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和快速開�(guān)�(shí)間使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. 寬溫工作范圍:從 -55°C � +175°C 的工作溫度范圍確保了其在極端�(huán)境下的可靠性�
  5. 熱穩(wěn)定性好:通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),該器件能夠有效管理熱量,�(jìn)一步提高使用壽��

�(yīng)�

IRFB38N20DPBF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),非常適合用于開�(guān)電源中的高頻開關(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:可以作為主開關(guān)或同步整� MOSFET 使用,提升轉(zhuǎn)換效��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的啟停和�(zhuǎn)速�
  4. �(fù)載開�(guān):用作負(fù)載的開啟/�(guān)閉控�,提供高效且可靠的切換功能�
  5. 工業(yè)控制:適用于各種工業(yè)�(shè)備中的功率控制模�,如電磁閥驅(qū)�(dòng)、繼電器控制��

替代型號(hào)

IRFZ44N, STP11NM50, FDN340P

irfb38n20dpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfb38n20dpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irfb38n20dpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C43A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫歐 @ 26A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs91nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.8W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFB38N20DPBF