IRFB3307是一款N溝道增強型功率MOSFET,由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用TO-263封裝形式,廣泛應用于需要高效能、低導通電阻的場合。其設計旨在滿足高效率電源管理需�,適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載切換等應用�(lǐng)域�
IRFB3307以其低導通電阻和�(yōu)異的熱性能著稱,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�10mΩ
柵極電荷�24nC
總電容:1320pF
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
IRFB3307具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在10V Vgs條件下為10mΩ,可有效減少傳導損��
2. 高電流處理能力,支持高達18A的連續(xù)漏極電流�
3. 良好的熱�(wěn)定�,適合在極端溫度�(huán)境下工作�
4. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電�,有助于提高工作效率�
5. 封裝形式為TO-263,易于安裝且散熱性能�(yōu)��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
IRFB3307適用于多種電力電子應用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路中的主開�(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 各種負載切換應用,例如電池管理系�(tǒng)�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
IRF3710, IRFZ44N, STP18NF06