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IRFB3307 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 18:15:38 查看 閱讀�24

IRFB3307是一款N溝道增強型功率MOSFET,由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用TO-263封裝形式,廣泛應用于需要高效能、低導通電阻的場合。其設計旨在滿足高效率電源管理需�,適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載切換等應用�(lǐng)域�
  IRFB3307以其低導通電阻和�(yōu)異的熱性能著稱,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻(典型值)�10mΩ
  柵極電荷�24nC
  總電容:1320pF
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

IRFB3307具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在10V Vgs條件下為10mΩ,可有效減少傳導損��
  2. 高電流處理能力,支持高達18A的連續(xù)漏極電流�
  3. 良好的熱�(wěn)定�,適合在極端溫度�(huán)境下工作�
  4. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電�,有助于提高工作效率�
  5. 封裝形式為TO-263,易于安裝且散熱性能�(yōu)��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�

應用

IRFB3307適用于多種電力電子應用:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路中的主開�(guān)元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 各種負載切換應用,例如電池管理系�(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�

替代型號

IRF3710, IRFZ44N, STP18NF06

irfb3307推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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irfb3307參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C130A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.3 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5150pF @ 50V
  • 功率 - 最�250W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFB3307