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IRFB3207ZPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 15:12:35 查看 閱讀�34

IRFB3207ZPBF 是一� N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體� (IGBT),由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,非常適合用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。IRFB3207ZPBF 的封裝形式為 TO-247,能夠提供良好的散熱性能�
  � IGBT 的設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功率轉(zhuǎn)換效�,同�(shí)減少功率損耗和電磁干擾。其高可靠性與耐用性使其在工業(yè)控制、汽車電子和其他高性能�(yīng)用領(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

額定電壓�55V
  額定電流�86A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�115nC
  最大功耗:250W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IRFB3207ZPBF 具有以下主要特性:
  1. 高效的低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻操作�(huán)境�
  3. 極低的反向恢�(fù)電荷,減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失�
  4. �(yōu)化的熱性能,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行下的穩(wěn)定性和可靠��
  5. 支持寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  6. �(nèi)部集成保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的安全性和魯棒性�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

IRFB3207ZPBF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽(yáng)能逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
  3. 電動(dòng)車輛 (EV) 和混合動(dòng)力車� (HEV) 的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制器�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的伺服驅(qū)�(dòng)和變頻器�
  5. 家用電器和消�(fèi)電子�(chǎn)品的高效功率管理模塊�
  6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�
  7. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP17N06Z

irfb3207zpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irfb3207zpbf資料 更多>

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irfb3207zpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.1 毫歐 @ 75A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6920pF @ 50V
  • 功率 - 最�300W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件