IRFB23N20DPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝形式,適用于高效率開�(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場��
該型號的主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力,能夠在高頻開�(guān)條件下提供卓越的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�9.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
柵極電荷(典型值)�18nC
總功耗:26W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:DPAK(TO-252�
IRFB23N20DPBF 提供了低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,從而提高系�(tǒng)效率�
該器件具有較高的雪崩擊穿能量能力,能夠承受異常條件下的過載或短路情況�
其快速開�(guān)速度使其非常適合于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用�
此外,它還具備優(yōu)秀的熱性能,有助于在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
DPAK 封裝�(shè)計提供了良好的散熱性能,同時便于表面貼裝工��
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(shè)備中,例如開�(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器、電池保�(hù)電路、電�(jī)�(qū)動器和負(fù)載開�(guān)��
由于其出色的高頻性能和低�(dǎo)通損耗,IRFB23N20DPBF 成為許多高效能功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��
IRFZ24N, IRFBG20D