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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFB23N20DPBF

IRFB23N20DPBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 16:28:48 查看 閱讀�14

IRFB23N20DPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝形式,適用于高效率開�(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場��
  該型號的主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力,能夠在高頻開�(guān)條件下提供卓越的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�9.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
  柵極電荷(典型值)�18nC
  總功耗:26W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:DPAK(TO-252�

特�

IRFB23N20DPBF 提供了低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  該器件具有較高的雪崩擊穿能量能力,能夠承受異常條件下的過載或短路情況�
  其快速開�(guān)速度使其非常適合于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用�
  此外,它還具備優(yōu)秀的熱性能,有助于在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  DPAK 封裝�(shè)計提供了良好的散熱性能,同時便于表面貼裝工��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(shè)備中,例如開�(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器、電池保�(hù)電路、電�(jī)�(qū)動器和負(fù)載開�(guān)��
  由于其出色的高頻性能和低�(dǎo)通損耗,IRFB23N20DPBF 成為許多高效能功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��

替代型號

IRFZ24N, IRFBG20D

irfb23n20dpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
  • 詢價

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irfb23n20dpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C24A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 14A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1960pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.8W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFB23N20DPBF