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IRF9Z34NPBF 發(fā)布時間 時間�2024/6/11 15:03:38 查看 閱讀�434

IRF9Z34NPBF是一種低電阻功率MOSFET晶體�。它是由國際整流器公司(International Rectifier)生�(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該晶體管采用TO-220封裝,具有低漏電�、低�(dǎo)通電阻和高溫度工作能力的特點�
  IRF9Z34NPBF的漏電流非常低,可在高溫度條件下�(wěn)定工�。這使得它適用于各種高效率和高功率�(yīng)用,例如電源、電機控制和開關(guān)電源�。此�,它還具有優(yōu)異的開關(guān)特�,能夠快速切�,使得它在電源開�(guān)和PWM控制等應(yīng)用中非常受歡��
  IRF9Z34NPBF的導(dǎo)通電阻也非常�,這意味著它能夠提供較低的功耗和較高的效�。它的導(dǎo)通電阻通常�0.045歐姆左右,使得它能夠在高電流�(fù)載下保持較低的電壓降。這使得它成為一種理想的選擇,用于需要高效率和低功耗的�(yīng)��
  總的來說,IRF9Z34NPBF是一款高性能的低電阻功率MOSFET晶體�,具有低漏電�、低�(dǎo)通電阻和高溫度工作能力的特點。它適用于各種高效率和高功率�(yīng)用,如電�、電機控制和開關(guān)電源�。通過提供快速開�(guān)和較低的功耗,它能夠提供較高的效率和性能�

參數(shù)和指�(biāo)

1、封裝類型:TO-220
  2、漏�-源極電壓(VDS):55V
  3、漏�-柵極電壓(VGS):20V
  4、柵�-源極電壓(VGS(th)):2V
  5、漏極電流(ID):18A
  6、導(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.045Ω

組成�(jié)�(gòu)

IRF9Z34NPBF采用N溝道增強型MOSFET�(jié)�(gòu)。它由漏�、源極和柵極組成。漏極和源極之間通過通道連接,柵極與通道之間通過氧化物層隔離�

工作原理

MOSFET是一種場效應(yīng)晶體�,它通過柵極電壓來控制漏�-源極電流。當(dāng)柵極電壓(VGS)大于閾值電壓(VGS(th))時,通道打開,允許電流從漏極流向源極。當(dāng)柵極電壓小于閾值電壓時,通道�(guān)閉,電流無法通過�

技�(shù)要點

1、低漏電流:IRF9Z34NPBF具有低漏電流特點,能夠在高溫度條件下�(wěn)定工��
  2、低�(dǎo)通電阻:IRF9Z34NPBF的導(dǎo)通電阻非常低,可以提供低功耗和高效��
  3、高溫度工作能力:IRF9Z34NPBF能夠在高溫度�(huán)境下正常工作,適用于各種高溫�(yīng)��

�(shè)計流�

1、確定電路應(yīng)用和工作條件�
  2、根�(jù)需求選擇適�(dāng)?shù)腗OSFET參數(shù)和封裝類��
  3、確定電路中的其他元器件和連接方式�
  4、�(jìn)行電路設(shè)計和模擬分析�
  5、制作原型并�(jìn)行測��
  6、驗證性能和可靠��
  7、�(jìn)行批量生�(chǎn)�

注意事項

1、正確選擇電壓和電流等參�(shù),以滿足電路需求�
  2、注意散熱設(shè)計,確保MOSFET在高功率工作時能夠有效散��
  3、確保柵極驅(qū)動電路的�(wěn)定性和可靠��

irf9z34npbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irf9z34npbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最�68W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF9Z34NPBF