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IRF9Z20PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/9 15:29:40 查看 閱讀�352

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

  


目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�280 毫歐 @ 5.6A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�50V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.7A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�26nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �480pF @ 25V

    功率 - 最大:40W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引�)

    包裝:管�

    供應商設備封裝:*

    其它名稱�*IRF9Z20PBF


資料

廠商
Vishay Semiconductors

irf9z20pbf推薦供應� 更多>

  • 產品型號
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irf9z20pbf參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫歐 @ 5.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds480pF @ 25V
  • 功率 - 最�40W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF9Z20PBF