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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IRF9333TRPBF

IRF9333TRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 17:24:45 查看 閱讀�41

IRF9333TRPBF 是一款由 Vishay 提供� P 溝道功率 MOSFET,采� TO-252 (DPAK) 封裝。該器件具有較低的導通電阻和較高的電流能�,適用于多種電源管理應用,如負載開關、DC-DC 轉換器、逆變器以及電池保護電路等�
  IRF9333TRPBF 的設計使其能夠在高頻率條件下高效工作,同時保持良好的熱性能。其增強型邏輯電平驅動特性使得它可以直接與微控制器或數字信號處理器(DSP)接�,而無需額外的柵極驅動電路�

參數

型號:IRF9333TRPBF
  類型:P溝道MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vds)�-40V
  最大柵源電�(Vgs):�10V
  連續(xù)漏極電流(Id)�-7.6A (Tc=25°C), -4.3A (Tc=100°C)
  導通電�(Rds(on))�125mΩ (典型�, Vgs=-4.5V), 200mΩ (最大�, Vgs=-4.5V)
  總功�(Ptot)�28W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C to 150°C
  柵極電荷(Qg)�15nC (典型�)

特�

IRF9333TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 低導通電阻:Rds(on) � 125mΩ(典型值),有助于減少導通損耗并提高效率�
  2. 增強型邏輯電平驅動:能夠直接� TTL � CMOS 輸出驅動,簡化了電路設計�
  3. 高電流承載能力:支持高達 -7.6A 的連續(xù)漏極電流,在實際應用中表現出色�
  4. 緊湊型封裝:采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適合空間受限的設計�
  5. 寬工作電壓范圍:支持 -40V 的最大漏源電�,適應多種電壓環(huán)境�
  6. 較高的工作溫度范圍:可以� -55°C � +150°C 的溫度范圍內�(wěn)定運�,適用于各種工業(yè)和汽車環(huán)境�
  7. 快速開關速度:得益于較低的柵極電�,能夠實現高效的高頻操作�

應用

IRF9333TRPBF 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS):作為主開關或同步整流器��
  2. DC-DC 轉換器:用于降壓或升壓轉��
  3. 電池保護:在便攜式設備中防止過放電�
  4. 電機控制:驅動小型直流電機或步進電��
  5. 負載開關:快速切換不同負載狀�(tài)�
  6. 逆變器:用于將直流電轉換為交流電的應��
  7. 汽車電子:包括啟動系�(tǒng)、照明控制和其他車載電子設備�

替代型號

IRF9320, IRF9333

irf9333trpbf推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf9333trpbf參數

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.4 毫歐 @ 9.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF9333TRPBFTR