日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF840PBF

IRF840PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/8 15:31:22 查看 閱讀�493

IRF840PBF是一款N溝道MOSFET晶體管,具有極低的導(dǎo)通電阻和高的電流�(fù)載能�。它采用TO-220封裝,可以承受最�600V的電壓和8A的電流�
  IRF840PBF具有�(yōu)良的開關(guān)特�,能夠快速地開關(guān)電路,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),它還具有低漏電流和低輸入電容等特點(diǎn),能夠有效地降低電路的功耗和噪聲�
  該晶體管廣泛�(yīng)用于高效率電�、電�(jī)控制、逆變器和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。IRF840PBF還可以用于汽車電�、照�、通信和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)�,因?yàn)樗哂辛己玫目垢蓴_性和可靠��
  總之,IRF840PBF是一款高性能的N溝道MOSFET晶體管,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和可靠的性能表現(xiàn),是電子工程師和電路�(shè)�(jì)人員的理想選��

參數(shù)

1、最大漏極電壓:600V
  2、最大漏極電流:8A
  3、最大功率:125W
  4、導(dǎo)通電阻:0.85Ω
  5、電源電壓:20V
  6、靜�(tài)工作電流�10uA
  7、輸入電容:1000pF
  8、工作溫度范圍:-55� ~ 175�

組成�(jié)�(gòu)

IRF840PBF采用TO-220封裝,封裝材料為黃色熱塑性高溫塑�。其主要組成�(jié)�(gòu)包括源極、漏�、柵極和背極�

工作原理

IRF840PBF是一種N溝道MOSFET晶體管,它的工作原理基于場效�(yīng)管的原理。當(dāng)柵極電壓為零�(shí),源極和漏極之間不存在導(dǎo)電通路,晶體管處于截止?fàn)顟B(tài);當(dāng)柵極加上正電壓時(shí),柵極和源極之間形成正電荷層,使得漏極和源極之間出現(xiàn)�(dǎo)電通路,晶體管處于�(dǎo)通狀�(tài)。IRF840PBF的漏極電流主要由柵極電壓控制,其輸入電容較小,能夠快速地開關(guān)電路,因此適用于高頻�(yīng)��

技�(shù)要點(diǎn)

IRF840PBF的技�(shù)要點(diǎn)主要包括以下幾�(gè)方面�
  1、導(dǎo)通電阻低:IRF840PBF的導(dǎo)通電阻僅�0.85Ω,能夠承受較大的電流�(fù)��
  2、輸入電�?。篒RF840PBF的輸入電容僅�1000pF,能夠快速地開關(guān)電路,適用于高頻�(yīng)��
  3、抗干擾性好:IRF840PBF具有良好的抗干擾性能,能夠在�(fù)雜的電磁�(huán)境下�(wěn)定工��
  4、可靠性高:IRF840PBF采用�(yōu)�(zhì)材料制�,具有較高的可靠性和長壽命�

�(shè)�(jì)流程

IRF840PBF的設(shè)�(jì)流程主要包括以下幾�(gè)步驟�
  1、確定應(yīng)用場合:首先需要確定IRF840PBF�(yīng)用的場合和工作要�,包括電�、電流、功率等參數(shù)�
  2、電路設(shè)�(jì):根�(jù)�(yīng)用場合和要求,設(shè)�(jì)合適的電�,包括電源電�、信�(hào)處理電路和輸出電路等�
  3、選型:在電路設(shè)�(jì)完成�,選擇合適的IRF840PBF型號(hào),根�(jù)�(yīng)用場合和要求確定最大電�、最大電流等參數(shù)�
  4、PCB�(shè)�(jì):根�(jù)電路�(shè)�(jì)和IRF840PBF的封裝類型,�(shè)�(jì)PCB�,包括布局、走線、焊盤等�
  5、調(diào)試測試:完成PCB板的制作和組裝后,�(jìn)行調(diào)試測�,確保電路正常工��

常見故障和預(yù)防措�

IRF840PBF的常見故障主要包括以下幾種:
  1、漏電流過大:漏電流過大可能是由于IRF840PBF的柵極電壓過高或者源極和漏極之間存在短路等原�?qū)е碌摹nA(yù)防措施包括控制柵極電�、檢查源極和漏極之間的連接��
  2、漏電流�?。郝╇娏鬟^小可能是由于IRF840PBF的柵極電壓過低或者源極和漏極之間存在斷路等原�?qū)е�?。預(yù)防措施包括控制柵極電�、檢查源極和漏極之間的連接等�
  3、導(dǎo)通電阻過大:�(dǎo)通電阻過大可能是由于IRF840PBF的柵極電壓不足或者源極和漏極之間存在接觸不良等原�?qū)е�?。預(yù)防措施包括控制柵極電�、檢查源極和漏極之間的連接��
  4、輸入電容過大:輸入電容過大可能�(huì)�(dǎo)致電路響�(yīng)速度變慢,影響電路性能。預(yù)防措施包括選擇輸入電容較小的IRF840PBF型號(hào),或者采取其他措施減小輸入電容�

irf840pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf840pbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf840pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫歐 @ 4.8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF840PBF