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IRF830B 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 21:14:07 查看 閱讀�12

IRF830B 是一款N溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),由Vishay公司生產。它適用于高頻開關應�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,廣泛用于電源管理、電機控制和其他高效率電子系�(tǒng)��
  該器件采用TO-220封裝形式,適合散熱性能要求較高的場�。其出色的電氣性能使其成為許多工業(yè)和消費類電子產品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  最大漏極電流:7A
  柵極閾值電壓:4V
  導通電阻(典型值)�0.6Ω
  功耗:150W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

IRF830B 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:能夠承受高達500V的漏源電�,適合高壓應用環(huán)��
  2. 低導通電阻:典型值為0.6Ω,有助于降低功率損��
  3. 快速開關速度:具備較短的開關時間,可以有效減少開關損耗�
  4. �(wěn)定性強:在不同溫度范圍內保持穩(wěn)定的電氣性能�
  5. 小尺寸封裝:采用標準TO-220封裝,便于安裝并提供良好的散熱能力�

應用

IRF830B 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS):用作主開關或同步整流�,提高電源轉換效��
  2. 電機驅動:用于無刷直流電機或其他類型的電機控制電路�
  3. 負載切換:實�(xiàn)負載的快速開啟和關閉功能�
  4. 繼電器替代:在某些場景下可以用IRF830B代替?zhèn)鹘y(tǒng)機械繼電器以減少磨損并提升響應速度�
  5. 其他需要高效能開關的應用場景�

替代型號

IRF840, IRF540, STP12NF50

irf830b推薦供應� 更多>

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irf830b參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 產品種類MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓500 V
  • �/源擊穿電�+/- 30 V
  • 漏極連續(xù)電流4.5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)1.5 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220AB
  • 封裝Tube
  • 下降時間45 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散73 W
  • 上升時間40 ns
  • 工廠包裝�(shù)�50
  • 典型關閉延遲時間85 ns