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IRF830ASTRL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/9 15:50:59 查看 閱讀�311

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-



目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.4 歐姆 @ 3A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�500V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�5A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4.5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�24nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �620pF @ 25V

    功率 - 最大:3.1W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
VISHAY

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價(jià)

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  • 型號(hào)
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irf830astrl參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓500 V
  • �/源擊穿電�+/- 30 V
  • 漏極連續(xù)電流5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)1.4 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體D2PAK
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�15 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散3.1 W
  • 上升�(shí)�21 ns
  • 工廠包裝�(shù)�800
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�21 ns