類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
系列:HEXFET?
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
系列:HEXFET?
FET 型:2 �(gè) N 溝道(雙�
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�16.2 毫歐 @ 7.6A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�7.6A, 11A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.25V @ 25μA
閘電�(Qg) @ Vgs�11nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �910pF @ 15V
功率 - 最大:1.4W, 2W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:管�
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
廠商 |
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Infineon / IR |