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IRF7530TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:48:40 查看 閱讀�22

IRF7530TR是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-264封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))特性能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率,同�(shí)具備較高的電流承載能�,適用于中高功率�(yīng)用領(lǐng)域�
  IRF7530TR的內(nèi)部結(jié)�(gòu)基于先�(jìn)的Trench MOS技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通損耗和快速的�(kāi)�(guān)性能。此�,它還具有良好的雪崩能力和熱�(wěn)定�,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�98A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�70nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:45ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRF7530TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  2. 高電流處理能�,可支持高達(dá)98A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工��
  5. 較低的柵極電荷和反向恢復(fù)�(shí)間,�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能�
  這些特性使IRF7530TR成為多種電力電子�(yīng)用的理想選擇,例如工�(yè)�(shè)備中的電源管理模塊或汽車(chē)電子系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�

�(yīng)�

IRF7530TR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和AC-DC適配��
  2. 降壓和升壓型DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和�(jī)器人技�(shù)中的大功率開(kāi)�(guān)組件�
  由于其出色的電氣特性和耐用�,IRF7530TR特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換及�(wěn)定輸出的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

IRF7530G, IRF7530PBF

irf7530tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf7530tr資料 更多>

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irf7530tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫歐 @ 5.4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1310pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP�8-MSOP�0.118"�3.00mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro8?
  • 包裝帶卷 (TR)