日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF7464TR

IRF7464TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 15:08:27 查看 閱讀�18

IRF7464TR 是一款由 Vishay 提供� N 沒有邏輯控制功能的雙通道功率 MOSFET。該器件采用了先�(jìn)� TrenchFET 技�(shù),能夠提供極低的�(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能。IRF7464TR 包含兩�(gè)�(dú)立的 MOSFET 單元,分別用于高邊和低邊�(qū)動應(yīng)�。它廣泛適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及電池供電設(shè)備等�(lǐng)��
  其封裝形式為 PowerPAK SO-8,具備出色的散熱性能,并且可以有效節(jié)� PCB 空間�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
  Ids(持�(xù)漏極電流):60A
  柵極電荷�29nC(典型值)
  總柵極電荷:37nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=18ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IRF7464TR 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗,尤其在高頻操作中表現(xiàn)�(yōu)��
  3. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  4. � MOSFET 集成�(shè)�(jì)簡化了電路布局,減少了元件�(shù)��
  5. PowerPAK SO-8 封裝形式,具有較低的熱阻和寄生電�,從而改善了散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  7. 支持高電流密�,適用于大功率應(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

IRF7464TR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電池供電�(shè)備中的高效電源管��
  3. 電機(jī)�(qū)動電�,包� 控制�
  4. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 的主開關(guān)管或同步整流��
  5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
  7. 通信�(shè)備中的電源調(diào)節(jié)與分��

替代型號

IRF7465TR, IRF7466TR

irf7464tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irf7464tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C730 毫歐 @ 720mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)