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IRF7457 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 22:15:11 查看 閱讀:7

IRF7457 是一款 N 灃道溝道功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。IRF7457 采用 TO-263 封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。
  該 MOSFET 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供高效的功率處理能力,并且其優(yōu)化的 Rds(on) 參數(shù)能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。此外,它具備良好的熱性能和電氣性能,適合需要緊湊設(shè)計(jì)和高效率的電路。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:50A
  柵極電荷:19nC
  導(dǎo)通電阻:3.8mΩ
  總功耗:175W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-263

特性

IRF7457 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),典型值為 3.8mΩ,能夠在大電流條件下減少功率損耗。
  2. 高速開關(guān)性能,支持高頻操作,柵極電荷低至 19nC,有助于提高整體系統(tǒng)效率。
  3. 較高的漏極電流能力,允許高達(dá) 50A 的連續(xù)電流通過,滿足大功率應(yīng)用需求。
  4. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
  6. 熱阻較低,保證了長時(shí)間運(yùn)行時(shí)的可靠性與穩(wěn)定性。

應(yīng)用

IRF7457 廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級開關(guān)元件。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān) MOSFET。
  3. 電機(jī)驅(qū)動器中作為功率輸出級,控制電機(jī)轉(zhuǎn)速和方向。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和負(fù)載切換。
  5. 各種電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和充放電控制電路。
  6. LED 驅(qū)動器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。

替代型號

IRF7407, IRF7410, IRF7417

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irf7457參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF7457