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IRF7452QTRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:49:16 查看 閱讀�19

IRF7452QTRPBF 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特�,適用于各種高效能電源管理應(yīng)用。其封裝形式� PQFN33 封裝�3.3mm x 3.3mm�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠有效節(jié)� PCB 空間�
  IRF7452QTRPBF 的設(shè)�(jì)使其非常適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電路、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:1.6mΩ
  柵極電荷�9nC
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:PQFN33 (3.3mm x 3.3mm)
  最大功耗:10W

特�

IRF7452QTRPBF 的主要特�(diǎn)是其卓越的效率表�(xiàn)和緊湊的�(shè)�(jì)。以下詳�(xì)描述其特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)):僅為 1.6mΩ(在 Vgs=10V 時),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能力:支持高達(dá) 18A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需��
  3. 快速開�(guān)性能:通過�(yōu)化柵極電荷(� 9nC),�(shí)�(xiàn)更快速的開關(guān)操作,減少開�(guān)損耗�
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性:具備高工作溫度范圍(-55� � +175℃),確保在極端�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
  5. 小型化封裝:采用 PQFN33 封裝,尺寸僅� 3.3mm x 3.3mm,有助于減小整體解決方案的體��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且符合全球法規(guī)要求�

�(yīng)�

IRF7452QTRPBF 廣泛�(yīng)用于多種電子�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 開關(guān)電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)動:用于控制小型直流電機(jī)或無刷直流電�(jī)的運(yùn)��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS):作為保護(hù)電路中的�(guān)鍵組�,防止過充或過放�
  4. �(fù)載開�(guān):在便攜式設(shè)備中用作電源分配和管理的�(guān)鍵元��
  5. 工業(yè)自動化:� PLC、伺服驅(qū)動器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
  6. 通信�(shè)備:例如基站電源、路由器電源等對效率和可靠性要求較高的�(yīng)��

替代型號

IRF7452PBF, IRF7452STRPBF

irf7452qtrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7452qtrpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 2.7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱IRF7452QTRPBFDKR