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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7451

IRF7451 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:02:32 查看 閱讀�31

IRF7451是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),適用于低電壓應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及電池保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)��
  IRF7451在性能上表�(xiàn)出優(yōu)秀的效率和散熱能力,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�39A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�16nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns,toff=15ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

IRF7451具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持大功率�(yīng)用�
  3. 邏輯電平兼容柵極�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并降低了�(qū)�(dòng)功��
  4. 快速開�(guān)特性,減少了開�(guān)損耗并適合高頻操作�
  5. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�

�(yīng)�

IRF7451廣泛�(yīng)用于多種�(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,如無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器�
  3. �(fù)載開�(guān)和電源管理模��
  4. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)�(jì)�
  5. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)(BMS)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��

替代型號(hào)

IRF7407, IRF7410, IRF7411

irf7451推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7451資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irf7451參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds990pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF7451