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IRF7433TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 21:26:25 查看 閱讀�14

IRF7433TRPBF 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TSSOP-8 封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻特性使其在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異,同時(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和電氣性能�
  該器件的額定電壓� 60V,能夠滿足多種低壓應(yīng)用場(chǎng)景的需求,同時(shí)其出色的電流處理能力(連續(xù)漏極電流可達(dá) 21A)使其成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�21A
  柵極電荷�59nC
  �(dǎo)通電阻(典型值)�7mΩ
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 150�
  封裝形式:TSSOP-8

特�

IRF7433TRPBF 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá) 21A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,得益于較低的柵極電荷和輸入電容�
  4. 寬工作溫度范� (-55� � 150�),確保在惡劣�(huán)境下也能可靠�(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)�(jì)需求�
  6. 良好的熱�(wěn)定�,減少因過熱�(dǎo)致的失效�(fēng)�(xiǎn)�
  這些特性使 IRF7433TRPBF 在需要高效功率管理的�(yīng)用中表現(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��

�(yīng)�

IRF7433TRPBF 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng),提供高效的充電/放電路徑�
  4. 各類�(fù)載切換應(yīng)用,如汽車電子中的繼電器替代方案�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 通信電源和適配器�(shè)�(jì)中的�(guān)鍵元��
  由于其高電流能力和快速開�(guān)性能,IRF7433TRPBF 特別適合要求高效率和緊湊�(shè)�(jì)的場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF7433TRPBF, IRF7433TRPBF-TP, IRF7433

irf7433trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7433trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 8.7A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1877pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7433PBFTRIRF7433TRPBF-NDIRF7433TRPBFTR-ND