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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7421D1TRPBF

IRF7421D1TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 10:32:32 查看 閱讀�20

IRF7421D1TRPBF是來(lái)自Infineon(英飛凌)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用TOLL封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)旨在提高效率并降低功耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�35A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�89nC(典型值)
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�43°C/W
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C

特�

IRF7421D1TRPBF具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損��
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐用��
  3. 采用TOLL封裝,提供卓越的散熱性能和電氣性能�
  4. 支持高頻�(kāi)�(guān)操作,適合高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  這些特點(diǎn)使其非常適合用于工業(yè)、汽�(chē)以及消費(fèi)電子�(lǐng)域的多種�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器和降壓電路中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的半橋或全橋配��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和其他相關(guān)功能�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠�,IRF7421D1TRPBF成為許多高性能功率�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF7420D1TRPBF

irf7421d1trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf7421d1trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irf7421d1trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列FETKY™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 4.1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF7421D1PBFTRIRF7421D1TRPBF-NDIRF7421D1TRPBFTR-ND