IRF7341I是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為SO-8,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠有效節(jié)省PCB空間并提高裝配效率�
IRF7341I主要�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)�。通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì),該器件能夠在高頻工作條件下保持較低的功�,并提供出色的熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�20V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總柵極電荷:9nC(典型值)
開關(guān)�(shí)間:ton=11ns,toff=15ns(典型值)
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
IRF7341I具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損��
3. 高電流承載能力,支持大功率應(yīng)��
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
5. 小尺寸SO-8封裝,便于設(shè)�(jì)和集成到緊湊型電路中�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要��
IRF7341I廣泛用于各種功率電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換電��
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,IRF7341I成為眾多高性能功率�(yīng)用的理想選擇�
IRF7341TRPBF, IRF7342G