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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7316TR

IRF7316TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:31:00 查看 閱讀�7

IRF7316TR是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的雙通道N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用Trench技�(shù)制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。其封裝形式為TO-Leadless(TOLL),有助于提高散熱性能和節(jié)省PCB空間�
  IRF7316TR�(nèi)部集成了兩�(gè)�(dú)立的N溝道MOSFET,允許設(shè)�(jì)人員在一�(gè)小型封裝中實(shí)�(xiàn)高效的功率管理解決方��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流(單�(gè)MOSFET):28A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
  柵極電荷�79nC(典型值)
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�33°C/W
  工作溫度范圍�-55°C�175°C
  封裝形式:TO-Leadless(TOLL�

特�

IRF7316TR具有低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  它采用了先�(jìn)的Trench技�(shù),使得單位面積內(nèi)的電流承載能力更��
  該器件的高雪崩能力和�(jiān)固的�(jié)�(gòu)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下可靠運(yùn)行�
  雙通道�(shè)�(jì)�(jiǎn)化了多相位功率轉(zhuǎn)換電路的�(shè)�(jì)過程,減少了元件�(shù)量和PCB占用面積�
  TOLL封裝提供了出色的散熱性能,同�(shí)兼容�(wú)鉛焊接工�,符合環(huán)保要��
  此外,IRF7316TR還具備快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻操作�

�(yīng)�

IRF7316TR適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)功能�
  2. 降壓或升壓型DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器以及其他便攜式�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 高效�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,IRF7316TR特別適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF7306TR, IRF7314TR

irf7316tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7316tr資料 更多>

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irf7316tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫歐 @ 4.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds710pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)