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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF7301TRPBF

IRF7301TRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 14:42:50 查看 閱讀�15

IRF7301TRPBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的雙N溝道功率MOSFET芯片,采用小型化的PowerTrench技�(shù)制�。該器件適用于需要高效率、低功耗和快速開�(guān)速度的應(yīng)用場�。其主要用途包括DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負(fù)載開�(guān)以及多相電源管理等應(yīng)�。這款MOSFET具有出色的導(dǎo)通電阻特�,并支持較高的工作電�,從而確保了系統(tǒng)的可靠性和高效��
  該型號的封裝形式為SO8L,引腳間距緊�,適合在空間受限的設(shè)計中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型�,在Vgs=10V條件下)
  柵極電荷�29nC(典型值)
  開關(guān)時間:開啟延遲時間:12ns(典型值),關(guān)斷時間:15ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

IRF7301TRPBF具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:有助于減少傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力:較低的柵極電荷和優(yōu)化的開關(guān)時間使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. 高額定電流:能夠承載高達(dá)24A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需��
  4. 熱性能�(yōu)異:具備更高的結(jié)溫耐受能力(最高達(dá)175℃),可適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  5. 小型化封裝:SO8L封裝減小了PCB面積占用,同時提供良好的散熱表現(xiàn)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率控制領(lǐng)域,具體�(yīng)用包括:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器�
   - �(fù)�(zé)將直流電壓�(jìn)行升降壓處理,常見于通信�(shè)備和工業(yè)自動化系�(tǒng)�
  2. 電機�(qū)動:
   - 用于無刷直流電機(BLDC)或步�(jìn)電機的驅(qū)動電�,提供高效的功率輸出�
  3. 多相電源�
   - 在高性能計算平臺中,作為多相供電的一部分,為處理器提供穩(wěn)定電��
  4. 開關(guān)電源(SMPS):
   - 實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�,適用于消費電子和計算機外設(shè)�
  5. �(fù)載開�(guān)�
   - 保護(hù)下游電路免受過流或短路的影響,常用于便攜式設(shè)備�

替代型號

IRF7302TRPBF, IRF7303TRPBF

irf7301trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7301trpbf資料 更多>

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  • 描述
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irf7301trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 2.6A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds660pF @ 15V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7301PBFTR