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IRF7241 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 21:15:00 查看 閱讀:5

IRF7241是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用IR公司(International Rectifier)的先進(jìn)工藝制造。該器件主要設(shè)計(jì)用于高頻開關(guān)應(yīng)用,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源管理模塊等。IRF7241具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高電流處理能力等特點(diǎn),使其在高效能電力電子電路中表現(xiàn)出色。
  IRF7241采用TO-252表面貼裝封裝形式,適合自動(dòng)化裝配工藝并能有效減少寄生電感對性能的影響。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:30A
  最大柵源電壓:±20V
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷:19nC(典型值)
  輸入電容:1350pF(典型值)
  開關(guān)速度:快速開關(guān)
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

IRF7241具有非常低的導(dǎo)通電阻,這有助于降低傳導(dǎo)損耗,從而提高整體效率。其快速的開關(guān)特性使得它能夠在高頻條件下保持高效運(yùn)行,同時(shí)減少電磁干擾(EMI)。此外,該器件具備出色的熱穩(wěn)定性,可以在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠地工作。
  由于采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造技術(shù),IRF7241還擁有良好的抗雪崩能力和較低的反向恢復(fù)電荷,這對于需要承受瞬態(tài)電壓的應(yīng)用場景非常重要。
  此外,IRF7241內(nèi)置了ESD保護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)了芯片在實(shí)際使用中的魯棒性,降低了因靜電放電而導(dǎo)致?lián)p壞的風(fēng)險(xiǎn)。
  其緊湊的TO-252封裝不僅節(jié)省了PCB空間,還能很好地適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化趨勢。

應(yīng)用

IRF7241廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC轉(zhuǎn)換器
  - 太陽能逆變器
  - 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  - 工業(yè)控制與自動(dòng)化系統(tǒng)
  - 筆記本電腦適配器
  任何需要高頻、低損耗功率開關(guān)的應(yīng)用都可以考慮使用IRF7241來優(yōu)化設(shè)計(jì)性能。

替代型號(hào)

IRF7242, IRF7243, IRF7244

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irf7241參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫歐 @ 6.2A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3220pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝管件