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IRF7233TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:28:55 查看 閱讀�21

IRF7233TRPBF是來自Infineon(英飛凌)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,采用TOL封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)景中,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特��
  其設(shè)�(jì)目的是在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供高效率和低損耗性能,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMD),方便自動(dòng)化生�(chǎn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�39nC
  開關(guān)速度:非?�?br>  功耗:根據(jù)�(shí)際電路條件動(dòng)�(tài)變化
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

IRF7233TRPBF的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高效率。具體表�(xiàn)為:
  1. 極低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能夠在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速的開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷量�39nC),適用于高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. 高雪崩能力及熱穩(wěn)定�,確保了在惡劣環(huán)境下的可靠性�
  4. 支持表面貼裝工藝(SMD�,便于現(xiàn)代工�(yè)制造流��
  5. 工作�(jié)溫范圍寬廣(-55℃至150℃),適�(yīng)多種溫度�(huán)境需��

�(yīng)�

該型�(hào)MOSFET適合于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無刷電�(jī)或其他類型電�(jī)�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元件,用以�(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
  4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制回路�

替代型號(hào)

IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3

irf7233trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7233trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 9.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs74nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7233PBFTRIRF7233TRPBF-NDIRF7233TRPBFTR-ND