IRF7101是一種N溝道邏輯級功率MOSFET,專為高頻開�(guān)應用設計。它具有較低的導通電阻和極快的開�(guān)速度,適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、同步整流器以及各種電源管理電路��
該器件采用了先進的制程技�(shù),優(yōu)化了柵極電荷和導通電阻的性能�(quán)衡,從而提高了效率并降低了功��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�29A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�16nC
開關(guān)時間:ton=8ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
IRF7101具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻Rds(on),可以顯著減少傳導損��
2. 快速的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損�,提高整體效��
3. 邏輯電平�(qū)動兼容性,可以直接由微控制器或其他邏輯電路�(qū)�,無需額外的驅(qū)動級�
4. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
5. 小型封裝選項,適合空間受限的設計應用�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
IRF7101適用于多種高性能應用領域�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 同步整流�,在高效能的降壓或升壓拓撲中使用�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)�
4. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)元件�
5. 便攜式設備的電源管理模塊,例如智能手機和平板電腦��
IRF7102, IRF7103, FDP5580