類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�8.3 毫歐 @ 12.7A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�12.7A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.25V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�29nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �2560pF @ 20V
功率 - 最大:2.1W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
包裝:剪切帶 (CT)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? ST
其它名稱:IRF6614TRPBFCT
廠商 |
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Infineon Technologies |