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IRF6607 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:16:31 查看 閱讀�30

IRF6607 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用SO-8封裝形式,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)用中�
  IRF6607具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其額定電壓�30V,最大持�(xù)漏極電流可達(dá)42A(在特定條件下),適合用于需要高效率和高電流處理能力的場(chǎng)��

參數(shù)

額定電壓�30V
  最大持�(xù)漏極電流�42A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�39nC(典型值)
  輸入電容�1560pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:SO-8

特�

IRF6607的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功耗,提高整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)合�
  3. 高電流承載能�,能夠支持高�(dá)42A的連續(xù)漏極電流�
  4. 較小的封裝尺�,便于PCB布局�(shè)�(jì)和空間優(yōu)��
  5. 寬泛的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  6. 具備出色的熱�(wěn)定�,可承受高溫操作條件�

�(yīng)�

IRF6607主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)�(dòng)電路�
  7. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和�(zhuǎn)換器組件�

替代型號(hào)

IRF6611, IRF6617, Si7878DP

irf6607推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf6607資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf6607參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C27A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 毫歐 @ 25A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs75nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6930pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 MT
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DIRECTFET? MT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF6607-NDIRF6607TR