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IRF640NLPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:23:05 查看 閱讀�27

IRF640NLPBF 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制和其他需要高效功率開�(guān)的場(chǎng)景中。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合用于高頻開�(guān)�(yīng)��
  IRF640NLPBF 的主要特�(diǎn)是具有較低的柵極電荷,這有助于提高開關(guān)速度并減少開�(guān)損�。此外,該器件還具備出色的熱性能,能夠有效處理高功率�(yīng)用中的散熱問(wèn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:9A
  最大功耗:125W
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.4Ω
  柵極電荷�8nC
  總電容:1350pF
  連續(xù)工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

IRF640NLPBF 提供了多種優(yōu)越的性能特點(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓(500V�,能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(0.4Ω�,可以降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力,得益于其低柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),支持高功率操作,并能承受較高的�(jié)��
  5. TO-220 封裝形式便于安裝和散熱管�,同�(shí)兼容大多�(shù) PCB 布局�
  6. 廣泛的工作溫度范圍(-55� � +150℃),適用于各種惡劣�(huán)境下的電子設(shè)備�

�(yīng)�

IRF640NLPBF 常見的應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),用作主功率開關(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電�,提供高效的電流切換功能�
  4. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)的核心組件之一�
  5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換模��
  6. 在音頻放大器等應(yīng)用中作為輸出�(jí)開關(guān)使用�
  7. 繼電器替代方�,以�(shí)�(xiàn)更快速和可靠的電氣連接或斷開動(dòng)作�

替代型號(hào)

IRF640G, IRF640NPBF, BUZ11

irf640nlpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf640nlpbf資料 更多>

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irf640nlpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-262
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF640NLPBF