IRF640N是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用TO-220封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�8A
柵極閾值電壓:4V
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高擊穿電�,可承受高達(dá)500V的漏源電壓�
2. 較低的導(dǎo)通電�,在額定條件下僅�0.18Ω,有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)用�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,適用于同步整流和續(xù)流電路�
5. 小信�(hào)控制兼容�,柵極驅(qū)�(dòng)電壓低至4V即可開啟�
6. 工作溫度范圍�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
3. 逆變器設(shè)�(jì)中的功率�(jí)�(qū)�(dòng)�
4. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 電子�(fù)載和�(cè)試設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件�
6. 其他需要高頻、高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��
IRF640,
STP12NF50,
FDP15N50,
IXFN50N10T2