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IRF630 發(fā)布時間 時間�2024/7/24 15:40:41 查看 閱讀�785

IRF630是一款N溝道MOSFET晶體管,由國際整流器公司(International Rectifier)設(shè)計和生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、低門極驅(qū)動電壓和高耐壓能力等特�,被廣泛�(yīng)用于各種高功率開�(guān)電路中�
  IRF630的操作理論是基于MOSFET的工作原�,通過施加?xùn)艠O電壓來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止狀�(tài),實�(xiàn)電路的通斷和控��
  IRF630由源�、漏極和柵極三個端子組�,其中柵極與漏極之間存在一個絕緣層�

參數(shù)

1、最大漏極電壓:200V
  2、最大漏極電流:9.5A
  3、最大功率:117W
  4、靜�(tài)漏極電阻�0.36Ω
  5、門極驅(qū)動電壓:±20V
  6、工作溫度范圍:-55℃~175�

特點

1、低�(dǎo)通電阻:IRF630的導(dǎo)通電阻只�0.36Ω,可以承受高電流負載,降低功率損耗和溫度升高�
  2、高開關(guān)速度:IRF630的開�(guān)速度�??欤梢源_保在高頻率下�(wěn)定工作�
  3、低門極驅(qū)動電壓:IRF630的門極驅(qū)動電壓只有�20V,可以通過簡單的邏輯電路或微控制器來驅(qū)��
  4、高耐壓能力:IRF630可以承受高達200V的漏極電�,可以應(yīng)用于高壓電路��
  5、可靠性高:IRF630采用獨特的制造工藝和材料,具有高可靠性和長壽命�

工作原理

IRF630是一款N溝道MOSFET晶體�。當門極電壓高于閾值電壓時,MOSFET會形成一個導(dǎo)通通道,電流從漏極流向源極。當門極電壓低于閾值電壓時,MOSFET會失去導(dǎo)通通道,電流將停止流動。IRF630的導(dǎo)通和截止可以通過在門極上施加控制電壓來實�(xiàn)�

�(yīng)�

IRF630被廣泛應(yīng)用于各種高功率開�(guān)電路中,如:
  1、電源開�(guān)
  2、PWM控制�
  3、直�-直流�(zhuǎn)換器
  4、電機驅(qū)動器
  5、照明控制器
  6、電子變壓器
  7、太陽能逆變�
  8、電子球asts

如何使用

使用IRF630時需要注意以下幾點:
  1、選擇合適的散熱器:IRF630的功耗較�,需要使用散熱器來散�。散熱器的選擇要根據(jù)電路�(shè)計和�(huán)境溫度來確定�
  2、控制電路的�(shè)計:IRF630的門極驅(qū)動電壓只有�20V,所以控制電路需要匹�,以確保MOSFET的正常工��
  3、電路保護:在使用IRF630�,需要加入適�?shù)谋Wo電路,如過流保護、過壓保護和過熱保護�,以保護電路和器件的安全�

irf630推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf630資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • IRF630
  • N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-20...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

irf630參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件IRF630 View All Specifications
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MESH OVERLAY™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最�75W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 工具�497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
  • 其它名稱497-2757-5