IRF5803D2TR 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于各種功率轉換和電機驅動應用。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具有良好的散熱性能和耐用性�
這款 MOSFET 適用于需要高效能、低損耗的電路設計,例� DC-DC 轉換器、負載開�、逆變器以及電池管理等系統(tǒng)中�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:2.9mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�37nC(典型值)
開關速度:快�
功耗:27W(在 Ta=25°C 條件下)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263(D2PAK�
IRF5803D2TR 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保了低功耗和高效的能量轉換�
2. 快速開關速度減少了開關損�,適合高頻應用�
3. 高額定電流支持大功率輸出�
4. 寬工作溫度范圍使其能夠適應惡劣環(huán)境下的運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
6. �(yōu)異的熱性能保證了長期穩(wěn)定性和可靠��
7. 封裝堅固耐用,便于安裝和使用�
IRF5803D2TR 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器�
2. 電機驅動和控制電��
3. 電池保護和管理系�(tǒng)�
4. 逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 汽車電子系統(tǒng)的負載切換和電源管理�
7. 大功� LED 驅動器�
IRF540N, IRFZ44N, FDP18N40