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IRF5802TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/10 13:55:29 查看 閱讀�279

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?



目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.2 歐姆 @ 540mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�150V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�900mA

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5.5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�6.8nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �88pF @ 25V

    功率 - 最大:2W

    安裝�(lèi)型:表面貼裝

    封裝/外殼:Micro6?(TSOP-6)

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro6?(TSOP-6)



資料

廠商
Infineon Technologies

irf5802trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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irf5802trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C900mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 540mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds88pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.059"�1.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro6?(TSOP-6�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF5802TRPBF-NDIRF5802TRPBFTR