�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.2 歐姆 @ 540mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�900mA
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�6.8nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �88pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安裝�(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:Micro6?(TSOP-6)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro6?(TSOP-6)
廠商 |
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Infineon Technologies |