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IRF530NSTRLPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 15:46:41 查看 閱讀�14

IRF530NSTRLPBF 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)控制、逆變器等�(lǐng)�。該器件采用 TO-220FP 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,能夠承受較高的電壓和電�,適用于中高功率�(yīng)用場(chǎng)合�
  這款 MOSFET 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)異的�(kāi)�(guān)特性和較低的功�,適合需要高效能和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大漏極電流:2.7A
  柵源�(kāi)啟電壓:4V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.22Ω
  最大功耗:69W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

IRF530NSTRLPBF 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:該 MOSFET 可以承受高達(dá) 100V 的漏源電�,使其在高壓�(huán)境下表現(xiàn)�(wěn)定�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度:得益于其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),IRF530 具有非常短的�(kāi)�(guān)�(shí)�,可顯著降低�(kāi)�(guān)損耗�
  3. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅� 0.22Ω,從而減少了�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損耗�
  4. 良好的熱性能:TO-220FP 封裝提供了良好的散熱路徑,有助于提升整體系統(tǒng)的可靠��
  5. 寬溫工作范圍:能夠在 -55� � +150� 的溫度范圍內(nèi)正常�(yùn)�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��

�(yīng)�

IRF530NSTRLPBF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源:用� DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器等電源管理系統(tǒng)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 逆變器:在太�(yáng)能逆變器和其他類型的逆變器中作為�(kāi)�(guān)元件�
  4. 電池管理:用作電池保�(hù)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
  5. 照明系統(tǒng):在 LED 照明�(qū)�(dòng)電路中提供高效的�(kāi)�(guān)功能�

替代型號(hào)

IRF530N, IRF530LPBF, BUZ11

irf530nstrlpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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irf530nstrlpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF530NSTRLPBF-NDIRF530NSTRLPBFTR